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题名/责任者:

低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理/陈国祥, 王豆豆著

出版发行项:

北京:中国石化出版社,2017

ISBN及定价:

978-7-5114-4638-1/CNY35.00

载体形态项:

106页:图;26cm

个人责任者:

陈国祥 著

个人责任者:

王豆豆 著

学科主题:

氮化镓-纳米材料-研究

中图法分类号:

TN304.2

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括8章：第1章为概述；第2章详细地介绍了第一性原理方法；第3章至第7章采用基于密度泛函框架下的第一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理；第8章为本书的结束语。

使用对象附注:

本书可作为高等院校材料学和物理学及其他相关专业本科生和研究生的参考书，也可供从事纳米科技和纳米材料教学与研究的工作者参考使用。

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