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题名/责任者:

纳米忆阻器与神经形态计算/(美) 皮纳基·马祖姆德 ... [等] 著 于永斌, 胡小方, 符艺原译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-70411-9/CNY89.00

载体形态项:

XIV, 243页, [16] 页图版:图;24cm

统一题名:

Neuromorphic circuits for nanoscale devices

丛编项:

IC设计与嵌入式系统开发丛书

个人责任者:

马祖姆德 (Mazumder, Pinaki) 著

个人责任者:

耶尔马兹 (Yilmaz, Yalcin) 著

个人责任者:

依邦 (Ebong, ldongesit) 著

个人次要责任者:

于永斌 译

个人次要责任者:

胡小方 译

个人次要责任者:

符艺原 译

学科主题:

纳米材料-非易失性存贮器-研究

中图法分类号:

TP333.8

题名责任附注:

题名页题其余责任者: (美) 亚尔辛·耶尔马兹, 艾东格·依邦, (韩) 李宇铉 .

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书旨在深入了解纳米级器件的工作原理，重点介绍非易失性存储器、神经网络训练/学习的各种应用的神经形态电路的设计，以及图像处理。本书旨在让读者深入了解如何利用纳米器件的工作原理设计用于非易失性存储器、神经网络训练/学习和图像处理的神经形态电路。本书包含以下主题：纳米交叉阵列存储器设计；基于纳米器件的Q学习和值迭代；纳米器件的图像处理和计算机视觉应用；基于纳米器件的细胞非线性/神经网络。

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