MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：20
- 题名/责任者:
- 抗辐射集成电路设计理论与方法/高武著
- 出版发行项:
- 北京:清华大学出版社,2018.10
- ISBN及定价:
- 978-7-302-50529-7/CNY139.00
- 载体形态项:
- 308页,[8]页图版;27cm
- 个人责任者:
- 高武 著
- 学科主题:
- 抗辐射性-集成电路-电路设计
- 中图法分类号:
- TN402
- 提要文摘附注:
- 本书第一部分首先介绍抗辐射集成电路的研究进展、最新的设计理论和发展方向；并讲述辐射环境、辐射效应、辐射环境模拟机效应仿真等的基本概念、基础理论和相关技术；第二部分介绍辐射环境模拟和辐射效应仿真，抗辐射CMOS数字和模拟电路设计方法学；总剂量效应、移位损伤效应和单粒子效应的试验测量和性能评估；第三部分为经典CMOS集成电路的抗辐射加固设计举例，详细介绍前端读出集成电路、ADC、混合信号MCU的设计。
- 使用对象附注:
- 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
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