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题名/责任者:

硅锗低维材料可控生长/马英杰 [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-03-068516-2/CNY145.00

载体形态项:

255页:图;24cm

并列正题名:

Controllable growth of low-dimensional SiGe materials

丛编项:

先进功能材料丛书

个人责任者:

马英杰 著

个人责任者:

蒋最敏 著

个人责任者:

周通 著

个人责任者:

钟振扬 著

学科主题:

半导体材料-纳米材料-研究

中图法分类号:

TN304

中图法分类号:

TB383

题名责任附注:

著者还有：蒋最敏、周通、钟振扬

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

提要文摘附注:

本书将介绍利用分子束外延在硅基低维材料可控生长及其物理特性研究方面的进展，包括图形硅衬底和斜切Si衬底的制备；硅锗低维结构可控生长机理；硅锗量子点、量子点分子、量子环等纳米结构的生长；硅锗量子点晶体的生长及其物理特性；光子晶体微腔中单个锗量子点的可控生长及其发光特性；斜切Si衬底上高密度量子点、量子线的可控生长及其物理特性等方面的内容。

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