MARC状态：已编 文献类型：中文图书 浏览次数：56
- 题名/责任者:
- 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究/赵晓锋著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:黑龙江大学出版社,2009
- ISBN及定价:
- 978-7-81129-126-1/CNY25.00
- 载体形态项:
- 246页:图;21cm
- 丛编项:
- 黑龙江大学学术文库
- 个人责任者:
- 赵晓锋 著
- 学科主题:
- 压力传感器-研究
- 学科主题:
- 磁性传感器-研究
- 中图法分类号:
- TP212
- 书目附注:
- 有书目 (第234-246页)
- 提要文摘附注:
- 本书共分七章，主要内容包括：绪论、纳米硅薄膜制备及表征研究、MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析、纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式、实验结果与讨论等。
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