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题名/责任者:

纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级/靳松, 韩银和著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-302-52299-7/CNY69.00

载体形态项:

181页:图;24cm

并列正题名:

Analysis and optimization on large-scale COMS integrated circuits in the presence of parameter variability:form circuit-level to system level

其它题名:

从电路级到系统级

个人责任者:

靳松 著

个人责任者:

韩银和 著

学科主题:

纳米材料-数字集成电路-研究

中图法分类号:

TN431.2

书目附注:

有书目 (第169-181页)

提要文摘附注:

本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性（Negative bias temperature instability – NBTI）和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。

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