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MARC状态:已编 文献类型:西文图书 浏览次数:74

题名/责任者:
CMOS circuit design, layout, and simulation = CMOS电路设计、布局与仿真 / R. Jacob Baker, Harry W. Li and David E. Boyce著.
出版发行项:
北京 : China Machine Press, 2003.
ISBN:
7111122518
载体形态项:
xxii, 902 p. : ill. ; 24 cm.
变异题名:
CMOS电路设计、布局与仿真
丛编题名:
经典原版书库
丛编题名:
HZ Books
个人责任者:
Baker, R. Jacob, 1964-
附加个人名称:
Li, Harry W., 1960-
附加个人名称:
Boyce, David E., 1940-
附加团体名称:
Institute of Electrical and Electronics Engineers.
论题主题:
Metal oxide semiconductors, Complementary-Design and construction.
论题主题:
Integrated circuits-Design and construction.
论题主题:
Metal oxide semiconductor field-effect transistors.
中图法分类号:
TN432
书目附注:
Includes bibliographical references and index.
原版附注:
Reprint. Originally published: New York : IEEE Press, c1998. (IEEE Press series on microelectronic systems) 0780334167.
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TN432/B168.1 6040648   密集书库一 密一76A2     可借 定位
TN432/B168.1 6040649   11楼北语言学外语借阅室     可借 定位
TN432/B168.1 6040651   11楼北语言学外语借阅室     可借 定位
TN432/B168.1 6040652   11楼北语言学外语借阅室     可借 定位 借还中心(服务台)
TN432/B168.1 6040650   12楼南外文图书阅览室     保留本 定位
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