MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：91
- 题名/责任者:
- 碳化硅技术基本原理:生长、表征、器件和应用/(日) 木本恒暢, (美) 詹姆士 A. 库珀著 夏经华 ... [等] 译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2018
- ISBN及定价:
- 978-7-111-58680-7/CNY150.00
- 载体形态项:
- XIII, 500页:图;24cm
- 统一题名:
- Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices, and applications
- 其它题名:
- 生长表征器件和应用
- 丛编项:
- 新型电力电子器件丛书
- 个人责任者:
- 木本恒畅 著
- 个人责任者:
- 库珀 (Cooper, James A.) 著
- 个人次要责任者:
- 夏经华 译
- 学科主题:
- 碳化硅陶瓷-研究
- 中图法分类号:
- TQ174.75
- 版本附注:
- 据2014年英文版译出
- 出版发行附注:
- 中文简体字版由机械工业出版社出版
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
- 使用对象附注:
- 从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员
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