MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：79
- 题名/责任者:
- 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件/郝跃, 张金风, 张进成著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2013
- ISBN及定价:
- 978-7-03-036717-4 精装/CNY86.00
- 载体形态项:
- xi, 303页:图;25cm
- 丛编项:
- 半导体科学与技术丛书
- 个人责任者:
- 郝跃 著
- 个人责任者:
- 张金风 著
- 个人责任者:
- 张进成 著
- 学科主题:
- 氮化物-禁带-半导体材料
- 学科主题:
- 氮化物-禁带-电子器件
- 中图法分类号:
- TN304
- 中图法分类号:
- TN103
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHTMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
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