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题名/责任者:

功率半导体器件基础/(美)B. Jayant Baliga著 韩郑生, 陆江, 宋李梅等译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-121-19525-9/CNY79.00

载体形态项:

566页:图;26cm

统一题名:

Fundamentals of power semiconductor devices

丛编项:

国外电子与通信教材系列

个人责任者:

巴利加 (Baliga, B. Jayant) 著

个人次要责任者:

韩郑生 译

个人次要责任者:

陆江 译

个人次要责任者:

宋李梅 译

学科主题:

功率半导体器件-教材

中图法分类号:

TN303

版本附注:

据Springer Science+Business Media.2008年英文版译出

出版发行附注:

由Springer Science+Business Media授权电子工业出版社出版

责任者附注:

责任者 (Baliga) 规范汉译姓: 巴利加

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

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