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• 099 __ |a CAL 012014051486

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• 200 1_ |a 纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 |A na mi ji CMOS chao da gui mo ji cheng dian lu ke zhi zao xing she ji |f (美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 |g 王昱阳, 谢文遨译

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014

• 215 __ |a xi, 261页 |c 图 |d 24cm

• 306 __ |a 本书中文简体字翻译版由麦格劳-希尔(亚洲)教育出版公司授权合作出版

• 312 __ |a 英文题名取自书中

• 314 __ |a 责任者Kundu规范汉译姓: 孔杜 ; 责任者Sreedhar规范汉译姓: 斯里达尔

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书的内容包括：CMOS VLSI电路设计的技术趋势；半导体制造前期技术；当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响；通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念，半导体制造中出现的多种制造缺陷等。

• 500 10 |a Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability |m Chinese

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _1 |a 孔杜 |A kong du |g (Kundu, Sandip) |4 著

• 701 _1 |a 斯里达尔 |A si li da er |g (Sreedhar, Aswin) |4 著

• 702 _0 |a 王昱阳 |A wang yu yang |4 译

• 702 _0 |a 谢文遨 |A xie wen ao |4 译

• 801 _0 |a CN |b TL |c 20140414

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20140623

• 905 __ |a SCNU |f TN432.02/2590

• 920 __ |a 242430 |z 1