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• 010 __ |a 978-7-121-19525-9 |d CNY79.00

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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件基础 |A gong lu ban dao ti qi jian ji chu |d = Fundamentals of power semiconductor devices |f (美)B. Jayant Baliga著 |g 韩郑生, 陆江, 宋李梅等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2013

• 215 __ |a 566页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie

• 305 __ |a 据Springer Science+Business Media.2008年英文版译出

• 306 __ |a 由Springer Science+Business Media授权电子工业出版社出版

• 314 __ |a 责任者 (Baliga) 规范汉译姓: 巴利加

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 500 10 |a Fundamentals of power semiconductor devices |m Chinese

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lu ban dao ti qi jian |j 教材

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 巴利加 |A ba li jia |g (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 韩郑生 |A han zheng sheng |4 译

• 702 _0 |a 陆江 |A lu jiang |4 译

• 702 _0 |a 宋李梅 |A song li mei |4 译

• 801 _0 |a CN |b TL |c 20130326

• 905 __ |a SCNU |f TN303/1014

• 920 __ |a 242430 |z 1