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• 000 01764cam 2200373 450

• 001 0000517032

• 005 20150112140700.0

• 010 __ |a 978-7-122-19897-6 |d CNY148.00

• 099 __ |a CAL 012014080515

• 100 __ |a 20140623d2014 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 三维电子封装的硅通孔技术 |A san wei dian zi feng zhuang de gui tong kong ji shu |f (美) 刘汉诚著 |d = Through-silicon vias for 3D integration |f John H. Lau |g 秦飞, 曹立强译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2014

• 215 __ |a 390页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电子封装技术丛书 |A dian zi feng zhuang ji shu cong shu

• 306 __ |a 由原著者John H. Lau博士授权出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的最新进展和可能的演变趋势，详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等，最后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。

• 410 _0 |1 2001 |a 电子封装技术丛书

• 500 10 |a Through-silicon vias for 3D integration |m Chinese

• 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 封装工艺

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 封装工艺

• 690 __ |a TN605 |v 5

• 690 __ |a TN405.94 |v 5

• 701 _1 |a 刘汉诚 |A liu han cheng |g (Lau, John H.) |4 著

• 702 _0 |a 秦飞 |A qin fei |4 译

• 702 _0 |a 曹立强 |A cao li qiang |4 译

• 801 _0 |a CN |b WUL |c 20140623

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20140917

• 905 __ |a SCNU |f TN605/7040

• 920 __ |a 242430 |z 1