机读格式显示(MARC)
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- 091 __ |a 15034.2324 |d CNY1.00
- 100 __ |a 19961007d1982 ekmy0chiy50 ea
- 200 1_ |a 半导体中离子注入 |A ban dao ti zhong li zi zhu ru |f (英) 加特, 格兰特著 |g 张光华, 赵越译
- 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 1982
- 314 __ |a 责任者 (Carter) 规范汉译姓: 卡特.
- 500 10 |a Ion Implantation of Semiconductors |m Chinese
- 606 0_ |a 半导体 |A ban dao ti |x 离子注入
- 701 _1 |a 卡特 |A jia te |g (Carter, G.) |4 著
- 701 _1 |a 格兰特 |A ge lan te |c (Grant, W. A.) |4 著
- 702 _0 |a 张光华 |A zhang guang hua |4 译
- 702 _0 |a 赵越 |A zhao yue |4 译
- 801 _0 |a CN |b SCNU |c 20170104
- 905 __ |a SCNU |f TN305.3/2060