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- 010 __ |a 978-7-111-65981-5 |d CNY99.00
- 099 __ |a CAL 012020381187
- 100 __ |a 20201007d2020 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 |A yong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFETjian mo |e 基于BSIM-CMG标准 |f (印) 尤盖希·辛格·楚罕著 |g 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020
- 215 __ |a 239页 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu
- 306 __ |a 本版由Elsevier Inc.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门以及台湾地区) 出版发行
- 330 __ |a 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。
- 410 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书
- 500 10 |a FinFET modeling for IC simulation and design : using the BSIM-CMG standard |m Chinese
- 517 1_ |a 基于BSIM-CMG标准 |A ji yu BSIM-CMGbiao zhun
- 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 电路设计 |x 系统建模
- 701 _1 |a 楚罕 |A chu han |g (Chauhan, Yogesh Singh) |4 著
- 702 _0 |a 陈铖颍 |A chen cheng ying |4 译
- 702 _0 |a 张宏怡 |A zhang hong yi |4 译
- 702 _0 |a 荆有波 |A jing you bo |4 译
- 801 _0 |a CN |b SEU |c 20201113
- 801 _2 |a CN |b PUL |c 20210114
- 905 __ |a SCNU |f TN402/2049