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- 010 __ |a 978-7-111-69481-6 |d CNY119.00
- 099 __ |a CAL 012022029442
- 100 __ |a 20220308d2022 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 纳米集成电路FinFET器件物理与模型 |A na mi ji cheng dian lu FinFETqi jian wu li yu mo xing |f (美) 萨马·K. 萨哈著 |g 丁扣宝译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022
- 215 __ |a xiii, 238页 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
- 306 __ |a 本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司出版, 并经其授权翻译出版 本书中文简体翻译版授权由机械工业出版社独家出版
- 314 __ |a Samar K. Saha, 是Prospicient Devices首席研究科学家, 也是美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授。
- 330 __ |a 本书主要内容有: 主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述; 基本半导体电子学和pn结工作原理; 多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理; 非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术; FinFET基本理论; FinFET小尺寸效应; FinFET泄漏电流; FinFET寄生电阻和寄生电容; FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战; FinFET器件紧凑模型。
- 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书
- 500 10 |a FinFET devices for VLSI circuits and systems |m Chinese
- 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 集成电路工艺 |x 系统建模
- 701 _1 |a 萨哈 |A sa ha |g (Saha, Samar K.) |4 著
- 702 _0 |a 丁扣宝 |A ding kou bao |4 译
- 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20220308
- 905 __ |a SCNU |f TN405/9092