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• 010 __ |a 978-7-5672-0554-3 |d CNY65.00

• 099 __ |a CAL 012014098383

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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 200 1_ |a 半导体器件物理与工艺 |A ban dao ti qi jian wu li yu gong yi |d = Semiconductor devices physics and technology |f (美) 施敏, 李明逵著 |g 王明湘, 赵鹤鸣译 |z eng

• 205 __ |a 第3版

• 210 __ |a 苏州 |c 苏州大学出版社 |d 2014

• 215 __ |a 558页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a “十二五”国家重点图书出版规划项目 |A “shi er wu ”guo jia zhong dian tu shu chu ban gui hua xiang mu

• 305 __ |a 据原书第3版译出

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书分三大部分: 第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程, 尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始, 接下来讨论双极型和场效应器件, 最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。

• 410 _0 |1 2001 |a “十二五”国家重点图书出版规划项目

• 500 10 |a Semiconductor devices physics and technology |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 半导体物理

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 半导体工艺

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 施敏 |A shi min |g (Sze, S. M.), |f 1936- |4 著

• 701 _0 |a 李明逵 |A li ming kui |4 著

• 702 _0 |a 王明湘 |A wang ming xiang |4 译

• 702 _0 |a 赵鹤鸣 |A zhao he ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b TJU |c 20140826

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20140902

• 905 __ |a SCNU |f TN303/0888/ -3

• 920 __ |a 242430 |z 1