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• 010 __ |a 978-7-81129-126-1 |d CNY25.00

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• 200 1_ |a 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究 |A na mi gui/ dan jing gui yi zhi jiemosfets ya/ ci duo gong neng chuan gan qi yan jiu |f 赵晓锋著

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 黑龙江大学出版社 |d 2009

• 215 __ |a 246页 |c 图 |d 21cm

• 225 2_ |a 黑龙江大学学术文库 |A hei long jiang da xue xue shu wen ku

• 320 __ |a 有书目 (第234-246页)

• 330 __ |a 本书共分七章，主要内容包括：绪论、纳米硅薄膜制备及表征研究、MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析、纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式、实验结果与讨论等。

• 410 _0 |1 2001 |a 黑龙江大学学术文库

• 606 0_ |a 压力传感器 |A ya li chuan gan qi |x 研究

• 606 0_ |a 磁性传感器 |A ci xing chuan gan qi |x 研究

• 690 __ |a TP212 |v 4

• 701 _0 |a 赵晓锋 |A zhao xiao feng |4 著

• 801 _0 |a CN |b CEPC1 |c 20091024

• 801 _2 |a CN |b SCNU |c 20100406

• 905 __ |a SCNU |f TP212/4468

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