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- 010 __ |a 978-7-118-09078-9 |d CNY95.00
- 099 __ |a CAL 012014018133
- 100 __ |a 20140214d2013 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 纳米半导体器件与技术 |A na mi ban dao ti qi jian yu ji shu |d = Nano-semiconductors: devices and technology |f (加) Krzysztof Iniewski编 |g 刘明, 吕杭炳译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2013
- 215 __ |a XIII, 361页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 高新科技译丛 |A gao xin ke ji yi cong
- 306 __ |a Taylor and Francis Group, LLC授权出版
- 314 __ |a 责任者Iniewski汉译姓据版权页著录: 印纽斯基
- 330 __ |a 本书介绍了半导体工艺从标准CMOS硅工艺到新型器件结构的演变, 包括碳纳米管、石墨烯、量子点等, 涉及纳米电子器件的研究现状, 提供了关于材料和器件结构的资源, 包括从微电子到纳电子的革命。
- 500 10 |a Nano-semiconductors: devices and technology |m Chinese
- 606 0_ |a 纳米技术 |A na mi ji shu |x 半导体器件 |x 研究
- 701 _1 |a 印纽斯基 |A yin niu si ji |g (Iniewski, Krzysztof) |4 编
- 702 _0 |a 刘明, |A liu ming |f 1964- |4 译
- 702 _0 |a 吕杭炳 |A lv hang bing |4 译
- 801 _0 |a CN |b IMNUL |c 20140304
- 905 __ |a SCNU |f TN303/4820