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- 010 __ |a 978-7-03-036717-4 |b 精装 |d CNY86.00
- 099 __ |a CAL 012013031572
- 100 __ |a 20130318d2013 ekmy0chiy50 ea
- 200 1_ |a 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 |A dan hua wu kuan jin dai ban dao ti cai liao yu dian zi qi jian |f 郝跃, 张金风, 张进成著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2013
- 215 __ |a xi, 303页 |c 图 |d 25cm
- 225 2_ |a 半导体科学与技术丛书 |A ban dao ti ke xue yu ji shu cong shu
- 330 __ |a 全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaNHTMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析,GaN增强型HEMT器件和集成电路,GaN MOS-HEMT器件,最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
- 410 _0 |1 2001 |a 半导体科学与技术丛书
- 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 禁带 |x 半导体材料
- 606 0_ |a 氮化物 |A dan hua wu |x 禁带 |x 电子器件
- 701 _0 |a 郝跃 |A hao yue |4 著
- 701 _0 |a 张金风 |A zhang jin feng |4 著
- 701 _0 |a 张进成 |A zhang jin cheng |4 著
- 801 _0 |a CN |b NMU |c 20130318
- 905 __ |a SCNU |f TN304/4762