机读格式显示(MARC)
- 010 __ |a 978-7-111-74188-6 |d CNY189.00
- 099 __ |a CAL 012024014274
- 100 __ |a 20240124d2024 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 碳化硅器件工艺核心技术 |A tan hua gui qi jian gong yi he xin ji shu |f (希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 |g 贾护军, 段宝兴, 单光宝译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024
- 215 __ |a XVI, 411页, [4] 叶图版 |c 图 (部分彩图) |d 24cm
- 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu
- 314 __ |a 康斯坦丁·泽肯特斯(Konstantinos Zekentes),希腊研究与技术基金会 (FORTH) 微电子研究小组 (MRG) 高级研究员,以及微电子电磁与光子等实验室访问研究员。康斯坦丁·瓦西列夫斯基(Konstantin Vasilevskiy),英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术,以及石墨烯生长和表征技术。贾护军,西安电子科技大学教授、博士生导师,长期从事新型半导体材料与器件方面的教学和科研工作,发表相关论文七十余篇,授权发明专利二十余项,出版专著三部。段宝兴,西安电子科技大学教授、博士生导师,从事新型功率半导体器件设计及集成技术研究,发表相关论文八十余篇,授权发明专利五十余项,出版专著三部。单光宝,西安电子科技大学教授、博士生导师,中国惯性技术协会常务理事、国家部委重点项目首席科学家,长期从事集成电路与微系统教学和科研工作,发表相关论文五十余篇,授权发明专利二十余项,出版专著一部、译著一部。
- 330 __ |a 本书共包含9章,以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。
- 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书
- 500 10 |a Advancing silicon carbide electronics technology |m Chinese
- 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lv ban dao ti qi jian |x 研究
- 701 _1 |a 泽肯特斯 |A ze ken te si |g (Zekentes, Konstantinos) |4 著
- 701 _1 |a 瓦西列夫斯基 |A wa xi lie fu si ji |g (Vasilevskiy, Konstantin) |4 著
- 702 _0 |a 贾护军 |A jia hu jun |4 译
- 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译
- 702 _0 |a 单光宝 |A shan guang bao |4 译
- 801 _0 |a CN |b 百万庄 |c 20240124
- 905 __ |a SCNU |f TN303/9420/ 1