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• 200 1_ |a 半导体器件原理 |A ban dao ti qi jian yuan li |d = Principles of semiconductor devices |f 黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜编著 |z eng

• 210 __ |a 上海 |c 复旦大学出版社 |d 2011

• 215 __ |a 375页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 复旦博学 |A fu dan bo xue |i 微电子学系列

• 330 __ |a 本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。

• 410 _0 |1 2001 |a 复旦博学 |i 微电子学系列

• 510 1_ |a Principles of semiconductor devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 黄均鼐 |A huang jun nai |4 编著

• 701 _0 |a 汤庭鳌 |A tang ting ao |4 编著

• 701 _0 |a 胡光喜 |A hu guang xi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 北京图书大厦有限责任公司 |c 20110928

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