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• 010 __ |a 978-7-5661-0939-2 |d CNY17.00

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• 200 1_ |a 硅中部分位错演化的分子模拟 |A gui zhong bu fen wei cuo yan hua de fen zi mo ni |f 王超营 ... [等] 著

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工程大学出版社 |d 2014

• 215 __ |a 89页 |c 图 |d 26cm

• 320 __ |a 有书目 (第83-89页)

• 330 __ |a 本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景，采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其它缺陷的相互作用。

• 606 0_ |a 计算机模拟 |A ji suan ji mo ni |x 应用 |x 化合物半导体

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 王超营 |A wang chao ying |4 著

• 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20150324

• 905 __ |a SCNU |f TN304.2/1044

• 920 __ |a 242430 |z 1