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• 005 20121122103000.0

• 010 __ |a 978-7-121-17755-2 |d CNY59.00

• 099 __ |a CAL 012012255374

• 100 __ |a 20120929d2012 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅半导体材料与器件 |A tan hua gui ban dao ti cai liao yu qi jian |d = SiC materials and devices |f (美) Michael Shur, Sergey Rumyantsev, (俄) Michael Levinshtein主编 |g 杨银堂, 贾护军, 段宝兴译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2012

• 215 __ |a 332页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie

• 305 __ |a 据World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.2006年英文版译出

• 306 __ |a 由World Scientifie Publishing Co. Pte Ltd.授权电子工业出版社出版

• 314 __ |a 责任者 (Shur) 规范汉译姓: 舒尔 ; 责任者 (Rumyantsev) 规范汉译姓: 鲁缅采夫 ; 责任者 (Levinshtein) 规范汉译姓: 莱温施泰因

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 500 10 |a SiC materials and devices |m Chinese

• 606 0_ |a 化合物半导体 |A hua he wu ban dao ti |x 半导体材料 |j 教材

• 606 0_ |a 化合物半导体 |A hua he wu ban dao ti |x 半导体器件 |j 教材

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _1 |a 舒尔 |A shu er |g (Shur, Michael) |4 主编

• 701 _1 |a 鲁缅采夫 |A lu mian cai fu |g (Rumyantsev, Sergey) |4 主编

• 701 _1 |a 莱温施泰因 |A lai wen shi tai yin |g (Levinshtein, Michael) |4 主编

• 702 _0 |a 杨银堂 |A yang yin tang |4 译

• 702 _0 |a 贾护军 |A jia hu jun |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 801 _0 |a CN |b TL |c 20120924

• 905 __ |a SCNU |f TN304.2/9080