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- 000 01574nam0 2200373 450
- 010 __ |a 978-7-308-06624-2 |d CNY25.00
- 099 __ |a CAL 012009076408
- 100 __ |a 20090514d2009 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用 |A yang hua xin ban dao ti cai liao chan za ji shu yu ying yong |d = ZnO |e doping and application |f 叶志镇 ... [等] 著 |z eng
- 210 __ |a 杭州 |c 浙江大学出版社 |d 2009
- 215 __ |a 190页 |c 图 |d 24cm
- 304 __ |a 题名页题: 叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平等著
- 330 __ |a ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷( 如空位氧Vo和间隙锌Zni), 对受主产生高度自补偿作用, 天然为n型半导体, 难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术, 也一直是ZnO研究中的主要课题, 目前已取得重大进展, 本书对此进行了详细阐述。
- 333 __ |a 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考
- 510 1_ |a ZnO |e doping and application |z eng
- 606 0_ |a 氧化锌 |A yang hua xin |x 半导体材料 |x 掺杂 |x 技术
- 701 _0 |a 叶志镇 |A ye zhi zhen |4 著
- 701 _0 |a 吕建国 |A lv jian guo |4 著
- 701 _0 |a 张银珠 |A zhang yin zhu |4 著
- 801 _0 |a CN |b HPUL |c 20090514
- 801 _2 |a CN |b SCNU |c 20100326
- 905 __ |a SCNU |f TN304.2/6448
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