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• 010 __ |a 978-7-118-05408-8 |b 精装 |d CNY55.00

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• 200 1_ |a 先进半导体材料及器件的辐射效应 |A xian jin ban dao ti cai liao ji qi jian de fu she xiao ying |d = Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices |f (比) C. Claeys, E. Simoen著 |g 刘忠立译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2008

• 215 __ |a 428页 |c 图 |d 20cm

• 300 __ |a 本书由总装备部装备科技译著出版基金资助出版

• 314 __ |a 责任者Claeys规范汉译姓: 克拉艾; 责任者Simoen规范汉译姓: 西蒙恩.

• 320 __ |a 有书目 (第362-427页)

• 330 __ |a 本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、Gaas材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍基于Gaas辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。

• 333 __ |a 空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域科技人员，相关领域研究及大学生

• 500 10 |a Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 辐射效应

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _1 |a 克拉艾 |A ke la ai |g (Claeys, C.) |4 著

• 701 _1 |a 西蒙恩 |A xi meng en |g (Simoen, E.) |4 著

• 702 _0 |a 刘忠立 |A liu zhong li |4 译

• 801 _0 |a CN |b HPUL |c 20080515

• 801 _2 |a CN |b TSU |c 20080613

• 801 _2 |a CN |b SCNU |c 20081118

• 905 __ |a SCNU |f TN304/2720

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