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- 010 __ |a 978-7-03-039217-6 |d CNY68.00
- 099 __ |a CAL 012014019380
- 100 __ |a 20140121d2014 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 深亚微米CMOS模拟集成电路设计 |A shen ya wei mi CMOS mo ni ji cheng dian lu she ji |f (美) Bang-Sup Song著 |g 刘力源译
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014
- 215 __ |a 365页 |c 图 |d 24cm
- 314 __ |a 责任者Song规范汉译姓: 宋邦燮
- 330 __ |a 本书介绍在深亚微米工艺下如何设计高性能CMOS模拟集成电路。与之前许多讲述模拟集成电路设计的论著不同,本书不再将重点放在晶体管级电路的分析和推导上,而是着重介绍常用电路模块如数据转换器、锁相环中需要考虑的问题以及解决办法,涉及的电路层次和设计方法更高。本书内容涉及放大器、数据转换器、锁相环和时钟恢复电路等常用模块,在叙述上力求用浅显的语言讲清各种电路技术的本质。
- 500 10 |a Micro CMOS design |m Chinese
- 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS dian lu |x 模拟集成电路
- 701 _0 |a 宋邦燮 |A song bang xie |g (Song, Bang-Sup) |4 著
- 702 _0 |a 刘力源 |A liu li yuan |4 译
- 801 _0 |a CN |b 北京图书大厦有限责任公司 |c 20140117
- 801 _2 |a CN |b PUL |c 20140419
- 905 __ |a SCNU |f TN432/3059