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• 000 01106nam 2200337 450

• 001 0000339984

• 005 20100630090258.0

• 010 __ |a 978-7-03-026740-5 |b 精装 |d CNY49.00

• 099 __ |a CAL 012010040352

• 100 __ |a 20100322d2010 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 相变存储器 |A xiang bian cun chu qi |f 宋志棠著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2010

• 215 __ |a 253页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 应用物理学丛书 |A ying yong wu li xue cong shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法，高密度存储单元的优化设计与存储性能表征，高密度存储单元的纳米加工机理，以及降低操作电流的多种途径，PcRAM芯片的设计与制造等。

• 410 _0 |1 2001 |a 应用物理学丛书

• 606 0_ |a 相变 |A xiang bian |x 存储器

• 690 __ |a TP333 |v 4

• 701 _0 |a 宋志棠 |A song zhi tang |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20100322

• 801 _2 |a CN |b SCNU |c 20100630

• 905 __ |a SCNU |f TP333/3049

• 999 __ |M luol |m 20100630 09:02:58 |G luol |g 20100630 16:01:40

• 000 0000417886

• 991 __ |a 012010015134

• 907 __ |a SCNU |f TP333/3049