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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:63

题名/责任者:
相变存储器/宋志棠著
出版发行项:
北京:科学出版社,2010
ISBN及定价:
978-7-03-026740-5 精装/CNY49.00
载体形态项:
253页:图;25cm
丛编项:
应用物理学丛书
个人责任者:
宋志棠
学科主题:
相变-存储器
中图法分类号:
TP333
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书提出了快速发现新型相变材料的理论与方法,高密度存储单元的优化设计与存储性能表征,高密度存储单元的纳米加工机理,以及降低操作电流的多种途径,PcRAM芯片的设计与制造等。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 定位
TP333/3049 1711064   9楼北计算机应用借阅室     可借 定位
TP333/3049 1711065   9楼北计算机应用借阅室     可借 定位
TP333/3049 1711063   理科综合阅览室     保留本 定位
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