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题名/责任者:

纳米集成电路FinFET器件物理与模型/(美) 萨马·K. 萨哈著 丁扣宝译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-69481-6/CNY119.00

载体形态项:

xiii, 238页:图;24cm

统一题名:

FinFET devices for VLSI circuits and systems

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

萨哈 (Saha, Samar K.) 著

个人次要责任者:

丁扣宝 译

学科主题:

纳米材料-集成电路工艺-系统建模

中图法分类号:

TN405

出版发行附注:

本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司出版, 并经其授权翻译出版 本书中文简体翻译版授权由机械工业出版社独家出版

相关题名附注:

英文题名原文取自版权页

责任者附注:

Samar K. Saha, 是Prospicient Devices首席研究科学家, 也是美国加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要内容有: 主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述; 基本半导体电子学和pn结工作原理; 多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理; 非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术; FinFET基本理论; FinFET小尺寸效应; FinFET泄漏电流; FinFET寄生电阻和寄生电容; FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战; FinFET器件紧凑模型。

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