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题名/责任者:

先进半导体材料及器件的辐射效应/(比) C. Claeys, E. Simoen著 刘忠立译

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2008

ISBN及定价:

978-7-118-05408-8 精装/CNY55.00

载体形态项:

428页:图;20cm

统一题名:

Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices

个人责任者:

克拉艾 (Claeys, C.) 著

个人责任者:

西蒙恩 (Simoen, E.) 著

个人次要责任者:

刘忠立 译

学科主题:

半导体材料-辐射效应

中图法分类号:

TN304

一般附注:

本书由总装备部装备科技译著出版基金资助出版

责任者附注:

责任者Claeys规范汉译姓: 克拉艾; 责任者Simoen规范汉译姓: 西蒙恩.

书目附注:

有书目 (第362-427页)

提要文摘附注:

本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、Gaas材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍基于Gaas辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。

使用对象附注:

空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域科技人员，相关领域研究及大学生

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