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题名/责任者:

氧化锌半导体材料掺杂技术与应用:doping and application/叶志镇 ... [等] 著

出版发行项:

杭州:浙江大学出版社,2009

ISBN及定价:

978-7-308-06624-2/CNY25.00

载体形态项:

190页:图;24cm

并列正题名:

ZnO:doping and application

个人责任者:

叶志镇 著

个人责任者:

吕建国 著

个人责任者:

张银珠 著

学科主题:

氧化锌-半导体材料-掺杂-技术

中图法分类号:

TN304.2

题名责任附注:

题名页题: 叶志镇, 吕建国, 张银珠, 何海平等著

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料, 具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷( 如空位氧Vo和间隙锌Zni), 对受主产生高度自补偿作用, 天然为n型半导体, 难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术, 也一直是ZnO研究中的主要课题, 目前已取得重大进展, 本书对此进行了详细阐述。

使用对象附注:

本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考

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